N溝道耗盡型MOS管和N溝道增強型MOS管的結構基本相同。差別在于耗盡型MOS管的Si02絕緣層中摻有大量的正離子Na+或K+（制造P溝道耗盡型MOS管時摻人負離子），故在UCs=0時，這些正離子產生的電場作用下，漏極一源極間的P型襯底表面也能感應天生N溝道（稱為初始溝道），只要加上正向電壓UDS，就有電流。假如加上正的UCs，柵極與N溝道間的電場將在溝道中吸引來更多的.
N溝道耗盡型MOS管和N溝道增強型MOS管的結構基本相同。差別在于耗盡型MOS管的Si02絕緣層中摻有大量的正離子Na+或K+（制造P溝道耗盡型MOS管時摻人負離子），故在UCs=0時，
這些正離子產生的電場作用下，漏極一源極間的P型襯底表面也能感應天生N溝道（稱為初始溝道），只要加上正向電壓UDS，就有電流。假如加上正的UCs，柵極與N溝道間的電場將在溝道中吸引來更多的電子，溝道加寬，溝道電阻變小。增大。反之UCs為負時，溝道中感應的電子減少，溝道變窄，溝道電阻變大。減少。當UCS負向增加到某一數(shù)值時，導電溝道消失。趨于零，管子截止，故稱為耗盡型。
這些正離子產生的電場作用下，漏極一源極間的P型襯底表面也能感應天生N溝道（稱為初始溝道），只要加上正向電壓UDS，就有電流。假如加上正的UCs，柵極與N溝道間的電場將在溝道中吸引來更多的電子，溝道加寬，溝道電阻變小。增大。反之UCs為負時，溝道中感應的電子減少，溝道變窄，溝道電阻變大。減少。當UCS負向增加到某一數(shù)值時，導電溝道消失。趨于零，管子截止，故稱為耗盡型。N溝道耗盡型MOSFET的結構與增強型MOSFET結構類似，只有一點不同，就是N溝道耗盡型MOSFET在柵極電壓uGS=0時，溝道已經存在。該N溝道是在制造過程中應用離子注入法預先在襯底的表面，在D、S之間制造的，稱之為初始溝道。N溝道耗盡型MOSFET的結構和符號如圖1.（a）所示，它是在柵極下方的SiO2絕緣層中摻入
了大量的金屬正離子。所以當VGS＝0時，這些正離子已經感應出反型層，形成了溝道。于是，只要有漏源電壓，就有漏極電流存在。當VGS＞0時，將使ID進一步增加。VGS＜0時，跟著VGS的減小漏極電流逐漸減小，直至ID＝0。對應ID＝0的VGS稱為夾斷電壓，用符號VGS(off)表示，有時也用VP表示。N溝道耗盡型MOSFET的轉移特性.
了大量的金屬正離子。所以當VGS＝0時，這些正離子已經感應出反型層，形成了溝道。于是，只要有漏源電壓，就有漏極電流存在。當VGS＞0時，將使ID進一步增加。VGS＜0時，跟著VGS的減小漏極電流逐漸減小，直至ID＝0。對應ID＝0的VGS稱為夾斷電壓，用符號VGS(off)表示，有時也用VP表示。N溝道耗盡型MOSFET的轉移特性.耗盡型MOS場效應管，是在制造過程中，預先在SiO2絕緣層中摻入大量的正離子，因此，在UGS=0時，這些正離子產生的電場也能在P型襯底中“感應”出足夠的電子，形成N型導電溝道。
當UDS>0時，將產生較大的漏極電流ID。假如使UGS<0，則它將削弱正離子所形成的電場，使N溝道變窄，從而使ID減小。當UGS更負，達到某一數(shù)值時溝道消失，ID=0。使ID=0的UGS我們也稱為夾斷電壓，仍用UP表示。UGS
據(jù)導電方式的不同，MOSFET又分增強型、耗盡型。耗盡型是指，當VGS=0時即形成溝道，加上準確的VGS時，能使多數(shù)載流子流出溝道，因而“耗盡”了載流子，使管子轉向截止。
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