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  • Cmos IC器件如何保護
    • 發(fā)布時間:2020-04-22 16:47:10
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    Cmos IC器件如何保護
    如何保護Cmos IC設(shè)備
    保護Cmos IC器件
    Cmos IC保護電路
    所有MOS管器件都具有絕緣柵極,可能會發(fā)生電壓擊穿。例如,用于摩托羅拉CMOS器件的柵極氧化物厚度約為900 A,并且在柵極 - 源極電位約為100伏時發(fā)生擊穿。為了防止這種由靜態(tài)放電或其他電壓瞬態(tài)引起的擊穿,使用圖中所示的保護網(wǎng)絡(luò)在CMOS器件的每個輸入端。
    靜電損壞設(shè)備的行為方式不同,具體取決于損壞的嚴重程度。最嚴重損壞的輸入是最容易檢測的,因為輸入已被完全破壞,并且短路VDD,短路至Vgs或開路。效果是該裝置不再響應(yīng)信號存在于受損的輸入。較不嚴重的情況更難以檢測,因為它們表示間歇性故障或性能下降 。靜態(tài)損壞的另一個影響是輸入通常具有增加的泄漏電流。
    盡管輸入保護網(wǎng)絡(luò)提供了大量保護,但CMOS器件工作并不能免受在處理期間可能產(chǎn)生的大靜電壓放電的影響。例如,在4-15kV范圍內(nèi)(取決于濕度,表面條件等)測量了在蠟地板上行走的人產(chǎn)生的靜電電壓。
    保護/安全防護Cmos設(shè)備的重要預防措施
    1. 不要超過數(shù)據(jù)表中規(guī)定的最大額定值 。
    2. 所有未使用的設(shè)備輸入應(yīng)連接到VDD 或Vss 。
    3. 只有在器件通電后,所有低阻抗設(shè)備(脈沖發(fā)生器等)才應(yīng)連接到CMOS輸入。同樣,在關(guān)閉電源之前應(yīng)斷開此類設(shè)備。
    4. 包含CMOS器件的電路板僅僅是器件的擴展,并且適用相同的處理預防措施。 接觸直接連接到設(shè)備輸入的邊緣連接器可能會導致?lián)p壞。應(yīng)避免塑料包裝。雖然與PC板的外部連接連接到CMOS器件的輸入,但應(yīng)使用與輸入串聯(lián)的電阻。如果取下PC板并使其與靜電產(chǎn)生材料接觸,該串聯(lián)電阻有助于限制意外損壞。串聯(lián)電阻的限制因素是增加的延遲。這是由串聯(lián)電阻和輸入電容形成的時間常數(shù)引起的。請注意,不應(yīng)超過最大輸入上升和下降時間。在圖中 使用串聯(lián)電阻顯示兩個可能的網(wǎng)絡(luò),以減少ESD(靜電放電)損壞。
    這些網(wǎng)絡(luò)對保護有用
    · 數(shù)字輸入和輸出
    · 模擬輸入和輸出
    · 3狀態(tài)輸出
    · bidiSrectional(I / O)端口。
    5. 所有CMOS器件都應(yīng)采用抗靜電材料儲存或運輸。CMOS設(shè)備不得插入傳統(tǒng)的塑料“雪”,塑料泡沫或塑料托盤中,但應(yīng)留在原始容器中直到準備使用。
    6. 所有CMOS器件應(yīng)放置在地面工作臺表面上,操作人員應(yīng)在操作設(shè)備之前將其自身接地,因為工人可以相對于工作臺表面靜電。強烈建議使用與皮膚接觸的腕帶。
    7. 尼龍或其他靜電產(chǎn)生材料不應(yīng)與CMOS器件接觸。
    8. 如果使用自動處理器,則設(shè)備,皮帶或板的移動可能會產(chǎn)生大量靜電。使用電離式鼓風機或室內(nèi)加濕器減少靜電積聚。與IC封裝的頂部,底部或側(cè)面接觸的所有機器部件必須接地到金屬或其他導電材料。
    9. 使用CO2 進行冷卻的冷室應(yīng)配備擋板,CMOS器件必須包含在導電材料上或?qū)щ姴牧现小?/div>
    10. 當需要進行引線矯直或手工焊接時,請為所用設(shè)備提供接地帶,并確保焊接接頭接地。
    11. 強烈建議使用靜電檢測儀進行生產(chǎn)線監(jiān)測。
    12. 設(shè)備規(guī)格應(yīng)提醒用戶存在CMOS設(shè)備,并且在執(zhí)行任何類型的維護或更換設(shè)備或模塊之前需要熟悉本規(guī)范。
    13. 請勿在接通電源的情況下從測試插座插入或移除CMOS器件。檢查用于測試設(shè)備的所有電源,確保沒有電壓瞬變。
    14. 在進行參數(shù)或功能測試之前,請仔細檢查測試設(shè)備的設(shè)置,確保VDD 和Vss 的極性正確。
    15. 不要回收運輸導軌或托盤。反復使用會導致其抗靜電涂層變質(zhì)。
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