寄生二極管由來(lái)
是由生產(chǎn)工藝造成的，大功率MOS管漏極從硅片底部引出，就會(huì)有這個(gè)寄生二極管。小功率MOS管例如集成芯片中的MOS管是平面結(jié)構(gòu)，漏極引出方向是從硅片的上面也就是與源極等同一方向，沒(méi)有這個(gè)二極管。模擬電路書里講得就是小功率MOS管的結(jié)構(gòu)，所以沒(méi)有這個(gè)二極管。但D極和襯底之間都存在寄生二極管，如果是單個(gè)晶體管，襯底當(dāng)然接S極，因此自然在DS之間有二極管。如果在IC里面，N—MOS襯底接最低的電壓，P—MOS襯底接最高電壓，不一定和S極相連，所以DS之間不一定有寄生二極管。
寄生二極管作用：
當(dāng)電路中產(chǎn)生很大的瞬間反向電流時(shí)，可以通過(guò)這個(gè)二極管導(dǎo)出來(lái)，不至于擊穿這個(gè)MOS管。(起到保護(hù)MOS管的作用)
溝槽Trench型N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET的結(jié)構(gòu)如下圖所示，在N-epi外延層上擴(kuò)散形成P基區(qū)，然后通過(guò)刻蝕技術(shù)形成深度超過(guò)P基區(qū)的溝槽，在溝槽壁上熱氧化生成柵氧化層，再用多晶硅填充溝槽，利用自對(duì)準(zhǔn)工藝形成N+源區(qū)，背面的N+substrate為漏區(qū)，在柵極加上一定正電壓后，溝槽壁側(cè)的P基區(qū)反型，形成垂直溝道。
由下圖中的結(jié)構(gòu)可以看到，P基區(qū)和N-epi形成了一個(gè)PN結(jié)，即MOSFET的寄生體二極管。
MOSFET剖面結(jié)構(gòu)
體二極管主要參數(shù)
二極管特性測(cè)試電路
二極管恢復(fù)曲線
MOSFET體二極管反向恢復(fù)過(guò)程波形
MOSFET體二極管應(yīng)用場(chǎng)合
全橋逆變電路
三相橋電路
LLC半橋諧振電路ZVS
移相全橋PSFB ZVS
HID照明(ZVS)
MOSFET體二極管應(yīng)用分析
MOSFET體二極管反向恢復(fù)
LLC半橋諧振變換器
LLC電壓增益
LLC變換器 ZVS狀態(tài)下模態(tài)切換
LLC變換器工作波形(ZVS模式)
LLC變換器工作波形(ZVS模式，輕載)
LLC變換器 ZCS狀態(tài)下模態(tài)切換
LLC變換器工作波形
LLC變換器輸出短路狀態(tài)1波形
LLC變換器輸出短路狀態(tài)2波形
LLC啟動(dòng)過(guò)程 - 二極管反向恢復(fù)
LLC啟動(dòng)過(guò)程 - 二極管反向恢復(fù)
HID照明電源(帶載切換成開路)
HID照明電源啟動(dòng)過(guò)程
HID照明電源(低于諧振頻率工作波形)
HID照明電源實(shí)測(cè)波形
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