首先看看管子：
驅(qū)動(dòng)電路示意：
我把信息反饋給了空調(diào)供應(yīng)商，等回復(fù)。
首先要明確一個(gè)概念，模擬電路不是軟件編程、非 0 即 1，而是一個(gè)連續(xù)變化的過程。無論是電容上的電壓還是電感上的電流，都不能突變，否則將產(chǎn)生災(zāi)難性的后果。上跳沿和下降沿并不是越陡峭越好，有時(shí)候在設(shè)計(jì)中甚至故意添加一些電阻讓上升下降沿變得平緩以保護(hù)元器件。當(dāng)然，如果你能在確保安全的情況下，盡可能能地提高上升下降沿的頻率的話，你就是模電設(shè)計(jì)高手了。
先來看 R17，它有三個(gè)作用，其一是防止震蕩，其二是減小柵極充電峰值電流，其三是保護(hù) NA-場(chǎng)效應(yīng)管的 D-S 極不被擊穿。
先來看第一點(diǎn)，一般單片機(jī)的 I/O 輸出口都會(huì)帶點(diǎn)雜散電感，在電壓突變的情況下可能和柵極電容形成 LC 振蕩，當(dāng)它們之間串上 R17 后，可增大阻尼而減小振蕩效果。
第二，當(dāng)柵極電壓拉高時(shí)，首先會(huì)對(duì)柵極電容充電，充電峰值電流可大致計(jì)算為：
可見已經(jīng)超過了單片機(jī)的 I/O 輸出能力，串上 R17 后可放慢充電時(shí)間而減小柵極充電電流。
可見已經(jīng)超過了單片機(jī)的 I/O 輸出能力，串上 R17 后可放慢充電時(shí)間而減小柵極充電電流。第三，當(dāng)柵極關(guān)斷時(shí)，NA-管的 D-S 極從導(dǎo)通狀態(tài)變?yōu)榻刂範(fàn)顟B(tài)時(shí)，漏源極電壓VDS 會(huì)迅速增加，如果 過大，就會(huì)擊穿器件，所以添加 R17 可以讓柵極電容慢慢放電，而不至于使器件擊穿，100 歐是比較通用的做法。
接下來看 R16，其作用是下拉型抗干擾電阻。當(dāng)單片機(jī)剛上電時(shí)，I/O 口一般都處于高阻態(tài)，如果沒有 R18，柵極電壓就處于懸浮狀態(tài)，可能意外使場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通，R16 的選值范圍沒啥特別的講究，筆者曾經(jīng)用 1.8k 和 180k 都仿真過，看不出對(duì)輸出波形有明顯影響。
再接下來看 R2，它的作用是上拉 NA+場(chǎng)效應(yīng)管的柵極，其阻值不能太小，太小會(huì)造成三極管導(dǎo)通時(shí)承受過大的電流；同樣，阻值也不能太大，太大會(huì)導(dǎo)致場(chǎng)效應(yīng)管的柵極電壓上升緩慢，而影響開關(guān)性能。關(guān)于這點(diǎn)再多說兩句，如果阻值太大，這個(gè)時(shí)候的影響場(chǎng)效應(yīng)管開關(guān)速度的瓶頸不在MOSFET的柵極電容上，而是在三級(jí)管的BC極電容上！當(dāng)STEUER_A+從低電平變高電平后，VCC 首先會(huì)通過 R2 給三級(jí)管的 BC 極電容充電，如果 R2 太大會(huì)導(dǎo)致充電速度緩慢，從而導(dǎo)致 R2 兩端電壓變化緩慢，進(jìn)而影響場(chǎng)效應(yīng)管的柵源極電壓上升速度。網(wǎng)友 lijieamd 兄做了個(gè)很有意義的實(shí)驗(yàn)：在三極管的 BC 極并了個(gè)鉗位二極管，強(qiáng)制不給 BC 極電容充電，然后發(fā)現(xiàn)場(chǎng)效應(yīng)管的上升下降沿都有明顯的改善。
最后看 R3，是三級(jí)管的基極電阻，這個(gè)沒啥特別的講究，只要確保三極管能正常工作在放大區(qū)就可以了。
以上就是對(duì)各電阻作用的定性分析。
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