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MOS管知識(shí)詳情-功率mos管為何會(huì)被燒毀詳解
2020-08-28
MOS管知識(shí)詳情-功率mos管為何會(huì)被燒毀詳解本文主要解析功率mos管為何會(huì)被燒毀。mos在控制器電路中的工作狀態(tài)：開(kāi)通過(guò)程（由截止到導(dǎo)通的過(guò)
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半導(dǎo)體知識(shí)-半導(dǎo)體怎么區(qū)分(干貨圖解)
2020-08-28
半導(dǎo)體知識(shí)-半導(dǎo)體怎么區(qū)分(干貨圖解)半導(dǎo)體如何區(qū)分，根據(jù)物體導(dǎo)電能力(電阻率)的不同，來(lái)劃分導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體。導(dǎo)體：容易導(dǎo)電的物
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解析功率MOSFET并聯(lián)產(chǎn)生寄生振蕩的原因和解決方法
2020-08-28
解析功率MOSFET并聯(lián)產(chǎn)生寄生振蕩的原因和解決方法功率mosfet功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，即MOSFET，其原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor
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MOS控制晶閘管是什么-MOS控制晶閘管工作原理與應(yīng)用
2020-08-28
MOS控制晶閘管是什么-MOS控制晶閘管工作原理與應(yīng)用MOS門(mén)控晶閘管是什么？MOS控制晶閘管由VAK Temple開(kāi)發(fā)。它是一個(gè)電壓控制器，晶閘管是完
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晶體管作為放大器(電路圖與工作原理)-晶體管同電子管相比
2020-08-27
晶體管作為放大器(電路圖與工作原理)-晶體管同電子管相比晶體管晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件（包括二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管
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開(kāi)關(guān)電源知識(shí)科普-解析開(kāi)關(guān)電源為什么要接地
2020-08-27
開(kāi)關(guān)電源知識(shí)科普-解析開(kāi)關(guān)電源為什么要接地在電源設(shè)計(jì)中，安全往往是第一位的。在開(kāi)關(guān)電源中也是如此，接地能夠保護(hù)使用者的人身安全，并
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mos器件的工作原理-細(xì)說(shuō)MOS管構(gòu)造-特性與電壓極性和符號(hào)規(guī)則
2020-08-27
mos器件的工作原理-細(xì)說(shuō)MOS管構(gòu)造-特性與電壓極性和符號(hào)規(guī)則什么是MOS管？mos器件的工作原理是什么？MOS管是什么？MOS管全稱(chēng)金屬—氧化物—
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電路板上mos管好壞判斷-MOS管引腳功能好壞判斷解析
2020-08-27
電路板上mos管好壞判斷-MOS管引腳功能好壞判斷解析電路板上mos管好壞判斷，主要是用指針式萬(wàn)用表對(duì)MOS管進(jìn)行判別。本文將會(huì)從5點(diǎn)來(lái)解析。MO
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碳化硅MOSFET優(yōu)勢(shì)分析-具體有哪些優(yōu)勢(shì)詳解
2020-08-27
碳化硅MOSFET優(yōu)勢(shì)分析-具體有哪些優(yōu)勢(shì)詳解碳化硅MOSFET有哪些優(yōu)勢(shì)？（一）開(kāi)關(guān)損耗碳化硅MOSFET有哪些優(yōu)勢(shì)，下圖1是1200V HighSpeed3 IGB
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MOS管源極與漏極是否能互換使用-三極管與MOS做開(kāi)關(guān)有何區(qū)別
2020-08-27
MOS管源極與漏極是否能互換使用-三極管與MOS做開(kāi)關(guān)有何區(qū)別場(chǎng)效應(yīng)管D極與S極能否隨意互換？場(chǎng)效應(yīng)管可分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（簡(jiǎn)稱(chēng)JFET）和絕緣
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p型半導(dǎo)體-N型半導(dǎo)體圖解-形成、定義、區(qū)別
2020-08-27
p型半導(dǎo)體-N型半導(dǎo)體圖解-形成、定義、區(qū)別p型半導(dǎo)體概述p型半導(dǎo)體又稱(chēng)空穴型半導(dǎo)體，是以帶正電的空穴導(dǎo)電為主的半導(dǎo)體。在純硅中摻入微量
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碳化硅igbt的優(yōu)勢(shì)-碳化硅IGBT結(jié)構(gòu)特點(diǎn)與應(yīng)用詳解
2020-08-26
碳化硅igbt的優(yōu)勢(shì)-碳化硅IGBT結(jié)構(gòu)特點(diǎn)與應(yīng)用詳解碳化硅igbt的優(yōu)勢(shì)是什么？什么是碳化硅？碳化硅是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)