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電路設計,MOS管電容近似計算方法介紹
2023-05-30
電路設計,MOS管電容近似計算方法介紹Cox的理論計算方式在電路設計零極點計算中，我們經常需要對MOS管的柵電容進行理論估算，柵電容Cgg=Cox*
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集成電容,MOS電容和平板電容解析
2023-05-30
集成電容,MOS電容和平板電容解析電容是一種對電荷信號進行處理的無源器件。與電阻類似,電容在數(shù)模混合電路系統(tǒng)中有十分廣泛的應用,如運放中
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MIM,MOM與MOS電容的區(qū)別圖文解析
2023-05-29
MIM,MOM與MOS電容的區(qū)別圖文解析ic layout經常會遇到這三種電容： MOS， MOM ， MIM。MOS 電容：兩端結構的mos管，電容值不精確，可
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先進工藝下MIM電容和MOM電容的比較解析
2023-05-29
先進工藝下MIM電容和MOM電容的比較解析1、單位面積容值相同的單位面積容值，電容值 MIM < MOM，MIM 約是1 3 MOS電容值。2、工藝實現(xiàn)和
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MOS管寄生電容怎么形成
2023-05-29
MOS管寄生電容怎么形成MOS管規(guī)格書中有三個寄生電容參數(shù)，分別是：輸入電容Ciss、輸出電容Coss、反向傳輸電容Crss。該三個電容參數(shù)具體到管
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超結功率MOSFET輸出電容遲滯效應解析
2023-05-27
超結功率MOSFET輸出電容遲滯效應解析超級結 MOSFET (SJ-MOS)英文名稱叫Super Junction MOSFET。為了解決額定電壓提高而導通電阻增加的
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超結MOSFET輸出電容遲滯效應產生原因解析
2023-05-27
超結MOSFET輸出電容遲滯效應產生原因解析超結功率MOSFET輸出電容遲滯效應產生原因超結功率MOSFET技術目前采取多層外延和深溝槽工藝，相對于
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結電容Cgd Cgs Cds和分布參數(shù)Ciss Crss Coss介紹
2023-05-27
結電容Cgd Cgs Cds和分布參數(shù)Ciss Crss Coss介紹結電容的定義適用于所有的FET，并不局限于VMOS，也適用于所有的VMOS晶體管，只是測定方
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MOS管RDS(on)與VGS(th)溫度特性圖文解析
2023-05-26
MOS管RDS(on)與VGS(th)溫度特性圖文解析分別找一份PMOS和一份NMOS的datasheet，看下導通電阻的正溫度特性，閾值電壓的負溫度特性是什么樣的
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電源電路,幾種產生負電源的方法介紹
2023-05-26
電源電路,幾種產生負電源的方法介紹電源電路是電路設計的重要環(huán)節(jié)，一般情況下，單電源能實現(xiàn)功能的用單電源就行，可選的方案很多，DC-DC、
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負電壓的產生電路圖原理解析
2023-05-26
負電壓的產生電路圖原理解析在電子電路中我們常常需要使用負電壓，比如說我們在使用運放的時候常常需要建立一個負電壓。下面請看我們在單片
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負電壓電路,負電壓產生電路圖介紹
2023-05-25
負電壓電路,負電壓產生電路圖介紹一個負電壓產生電路：利用電容充電等效出一個新電源，電容串聯(lián)在GND后，等效為電源2，則產生負電壓。1、電