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通過向半導體材料（通常以硅Si為代表）中摻入不同的雜質元素，能夠分別形成P型半導體與N型半導體。在P型半導體內部，可自由移動的粒子為空穴，這些空穴帶有正電荷；而在N型半導體中，能夠自由流動的粒子為電子，電子帶有負電荷。

以下是兩種半導體材料的結構示意。在P型半導體中，大紅圓代表不可移動的負離子；而小綠圓則表示可自由移動的空穴，這一特性極為重要，需特別留意。同理，在N型半導體中，大綠圓表示不可自由移動的正離子，而小紅圓所代表的電子則具有自由移動的能力。

PN結的形成機制

PN結是由P型半導體與N型半導體緊密接觸并相互結合而形成的。P型半導體富含空穴（作為正電荷載體），是通過摻入受主雜質原子實現的；而N型半導體則富含自由電子（作為負電荷載體），是通過摻入施主雜質原子獲得的。當這兩種不同類型的半導體材料相互接觸時，在它們的交界區域會形成一個特殊的區域——PN結。

當P型半導體與N型半導體接合時，由于P型側空穴濃度較高，N型側電子濃度較高，載流子會在濃度差的驅動下發生擴散運動。具體而言，P型半導體中的空穴會向其濃度較低的區域移動，同時N型半導體中的電子也會擴散至其濃度較低的區域，即進入P型區域。這樣一來，在P型區留下了不可自由移動的負離子，而在N型區則留下了不可自由移動的正離子。這些正負離子相互作用，形成從N區指向P區的內電場。這一內電場在很大程度上反映了PN結的工作特性。需要強調的是，雖然PN結的P型區帶負電，N型區帶正電，但從整體來看，它們是相互中和的，整個PN結仍保持電中性。

PN結形成的具體過程

在雜質半導體中，正電荷與負電荷的數量相等，彼此相互抵消，從而維持電中性。PN結的形成過程可分為以下三個階段：

載流子濃度差引發的擴散運動

當P型半導體與N型半導體結合后，在它們的接觸面附近會出現電子和空穴的濃度差。N型區電子數量多而空穴數量少，相對地，P型區空穴數量多而電子數量少。在這種情況下，電子和空穴會分別從高濃度區域向低濃度區域擴散。具體表現為，部分電子從N型區擴散到P型區，同時部分空穴從P型區擴散到N型區。

電子與空穴復合形成空間電荷區

在擴散過程中，電子與空穴相遇并發生復合（即中和）現象，這導致原本存在于P區和N區的電中性遭到破壞。P區因失去空穴而留下帶負電的受主離子，N區因失去電子而留下帶正電的施主離子。這些離子由于材料的晶格結構限制而無法自由移動，因而被稱為空間電荷。它們主要集中在P區與N區的交界面附近，形成一個狹窄的空間電荷區，即所謂的PN交界處。

內部電場的產生及其對擴散的影響

由于正負電荷之間的相互作用，在空間電荷區內形成了一個內電場。該電場的方向是從帶正電的N區指向帶負電的P區。由于這個電場是在半導體內部自然形成的，因此被稱為內電場。內電場的方向對于載流子的擴散運動具有重要影響：它與電子的擴散方向相同，但與空穴的擴散方向相反，從而對載流子的擴散運動起到了阻礙作用。

綜上所述，在PN結內部，載流子的運動主要表現為兩種形式：其一，多數載流子在內電場阻力下進行的擴散運動；其二，少數載流子在內電場作用下進行的漂移運動。只有當擴散運動與漂移運動達到動態平衡狀態時，空間電荷區的寬度以及內建電場才能保持相對穩定。由于這兩種運動所產生的電流方向相反，在沒有外加電場或其他外部因素干擾的情況下，PN結內部不存在宏觀電流。這種動態平衡狀態是理解PN結工作原理的關鍵所在。
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